2021年4月13日付オンライン国際研究広報「EurekAlert!」に、本学の加藤正史先生（電気・機械工学／フロンティア研究院）の研究成果が掲載されました。

窒化ガリウム（GaN）半導体は、特に高速スイッチングアプリケーションでの優れた性能により、シリコンの将来の代替品として期待されていますが、GaN結晶中の不純物がスイッチング性能を低下させる可能性があるとして、解決が望まれていました。 加藤先生らの研究では、炭素不純物がGaNの電荷キャリアに与える影響の背後にあるメカニズムを調査し、GaN結晶の育成における不純物制御の可能性が示唆されました。

リリースタイトル："Shedding light" on the role of undesired impurities in gallium nitride
                        semiconductors

論文タイトル　　：Contribution of the carbon-originated hole trap to slow decays of
                        photoluminescence and photoconductivity in homoepitaxial n-type
                        GaN layers

掲載ジャーナル　：Journal of Applied Physics

DOI　　　　　　：10.1063/5.0041287

EurekAlert！のリリース記事はこちら