2023年1月17日付オンライン国際研究広報「EurekAlert!」に本学の加藤正史先生（電気・機械工学）の研究成果が掲載されました。

加藤先生らの研究グループは、超高耐圧シリコンカーバイド(SiC)パワー半導体（※１）の性能を決定するキャリア寿命という物性値を測定しました。測定には独自に開発した装置を用い、高品質な4H-SiC（※２）結晶に対して実施しました。その結果、得られたキャリア寿命は高い励起キャリア濃度では、従来の値よりも長いことがわかりました。この成果は超高耐圧SiCパワー半導体が、従来考えられてきたものよりも高い性能で製造可能であり低消費電力化につながることを示唆しています。

（※１）パワー半導体
電力の制御や変換を行う半導体の総称で、特に高電圧・大電流を扱うことのできる半導体です。近年では電力の無駄を極力少なくし、省エネ・省電力化に貢献するパワー半導体の需要がより高まっています。

リリースタイトル：Unravelling Auger Recombination in Bipolar Devices Under High
　　　　　　　　　Carrier Injection
論文タイトル　　：4H-SiC Auger recombination coefficient under the high injection
　　　　　　　　　condition
掲載ジャーナル　：Japanese Journal of Applied Physic
DOI　　　　　　：10.35848/1347-4065/acaca8

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