2022年11月29日付オンライン国際研究広報「EurekAlert!」に本学の加藤正史先生（電気・機械工学）の研究成果が掲載されました。

名古屋工業大学大学院工学研究科の加藤正史准教授、名古屋大学未来材料・システム研究所の原田俊太准教授および住重アテックス株式会社の研究チームは、SiCパワー半導体（※１）を劣化させる結晶欠陥の拡張を水素イオンの注入により抑制することに成功しました。従来のSiCパワー半導体でダイオード電流を大きくすると、積層欠陥という結晶欠陥が拡張し、拡張した積層欠陥が電気抵抗を増大させてしまうという課題がありました。図１の概念図に示すように、SiCエピウェハに水素イオンに注入により積層欠陥の拡張が抑制され、長期信頼性が保たれたSiCパワー半導体を作製できることになります。この成果は低コストで高い信頼性を有するSiCパワー半導体の実現に貢献します。

リリースタイトル：Turning Fish Waste into Quality Carbon-based Nanomaterial
論文タイトル　　：FSuppression of Stacking Fault Expansion in a 4H-SiC Epitaxial
                        Layer by Proton Irradiation
掲載ジャーナル　：Scientific Reports
DOI　　　　　　：10.1038/s41598-022-17060-y

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